Pagrindiniai tranzistoriaus parametrai

Shenzhen Shenchuang Hi-tech Electronics Co., Ltd (SChitec) yra aukštųjų technologijų įmonė, kuri specializuojasi telefonų priedų gamyboje ir pardavimuose. Mūsų pagrindiniai produktai yra kelionių įkrovikliai, automobiliniai įkrovikliai, USB kabeliai, maitinimo blokai ir kiti skaitmeniniai produktai. Visi produktai yra saugūs ir patikimi, turi unikalų stilių. Produktai turi sertifikatus, tokius kaip CE, FCC, ROHS, UL, PSE, C-Tick ir kt. , Jei jus domina, galite tiesiogiai susisiekti su ceo@schitec.com. 

Saugiai kraukitės naudodami SCHitec

Pagrindiniai tranzistoriaus parametrai

Pagrindiniai tranzistoriaus parametrai yra srovės stiprinimo koeficientas, išsklaidyta galia, dažnio charakteristikos, kolektoriaus maksimali srovė, maksimali atvirkštinė įtampa, atvirkštinė srovė ir panašiai.

stiprinimo koeficientas

Nuolatinės srovės stiprinimo koeficientas, dar vadinamas ramybės srovės stiprinimo koeficientu arba nuolatinės srovės stiprinimo koeficientu, reiškia tranzistoriaus kolektoriaus srovės IC ir bazinės srovės IB santykį, kai įvedamas statinis nekintantis signalas, ir paprastai išreiškiamas hFE. arba .

AC padidinimas

Kintamosios srovės stiprinimo koeficientas, ty kintamosios srovės stiprinimo koeficientas ir dinaminis srovės stiprinimo koeficientas, yra tranzistoriaus kolektoriaus srovės kitimo ΔIC santykis su bazinės srovės pokyčiu ΔIB kintamosios srovės būsenoje ir paprastai išreiškiamas hfe arba .

hFE arba yra atskiras ir glaudžiai susijęs. Dvi parametrų reikšmės yra artimesnės esant žemiems dažniams, o esant aukštiems dažniams yra tam tikrų skirtumų.

Išsklaidyta galia

Išsklaidyta galia taip pat vadinama maksimalia leistina kolektoriaus išsklaidyta galia PCM ir nurodo didžiausią kolektoriaus išsklaidytą galią, kai tranzistoriaus parametrų pokyčiai neviršija nurodytos leistinos vertės.

Išsklaidyta galia yra glaudžiai susijusi su didžiausia leistina tranzistoriaus sandūros temperatūra ir maksimalia kolektoriaus srove. Kai tranzistorius yra naudojamas, jo faktinis energijos suvartojimas neturi viršyti PCM reikšmės, kitaip tranzistorius bus pažeistas dėl perkrovos.

Tranzistorius, kurio galios išsklaidymas PCM yra mažesnis nei 1 W, paprastai vadinamas mažos galios tranzistoriumi, tranzistorius, kurio PCM yra lygus arba didesnis nei 1 W ir mažesnis nei 5 W, vadinamas vidutinės galios tranzistoriumi, o tranzistorius, kurio PCM lygus arba didesnis nei 5 W, vadinamas didelės galios tranzistoriumi.

Kai būdingojo dažnio fT tranzistoriaus veikimo dažnis viršija ribinį dažnį f arba f , srovės stiprinimo koeficiento reikšmė mažės dažniui didėjant. Būdingasis dažnis yra tranzistoriaus veikimo dažnis, kai vertė sumažinama iki 1.

Tranzistorius, kurio būdingas dažnis fT yra mažesnis arba lygus 3 MHz, paprastai vadinamas žemo dažnio vamzdžiu, tranzistorius, kurio fT didesnis nei 30 MHz, vadinamas aukšto dažnio vamzdžiu, o tranzistorius, turintis fT, didesnis nei 3 MHz ir mažesnis nei 30 MHz, vadinamas tarpinio dažnio vamzdžiu.

Aukščiausio dažnio fM

Didžiausias virpesių dažnis yra dažnis, atitinkantis tranzistoriaus galios padidėjimą, sumažintą iki vieneto.

Paprastai didžiausias aukšto dažnio tranzistoriaus virpesių dažnis yra mažesnis už bendrą bazinį ribinį dažnį f, o būdingasis dažnis fT yra didesnis už bendrą bazinį ribinį dažnį f ir mažesnis už bendrą kolektoriaus ribinį dažnį f.

Didžiausia srovė

Didžiausia kolektoriaus srovė (ICM) yra didžiausia srovė, kurią leidžia tranzistoriaus kolektorius. Kai tranzistoriaus kolektoriaus srovės IC viršija ICM, tranzistoriaus vertė ir kiti parametrai labai pasikeis, o tai turės įtakos normaliam jo veikimui ir netgi sugadins.

Maksimali atvirkštinė įtampa

Didžiausia atvirkštinė įtampa yra didžiausia darbinė įtampa, leidžianti tranzistoriui veikti. Tai apima kolektoriaus-emiterio atvirkštinio gedimo įtampą, kolektoriaus-bazės atvirkštinio gedimo įtampą ir emiterio-bazės atvirkštinio gedimo įtampą.