„IPhone“ buvo masiškai gaminamas naudojant TSMC 3 nm procesą, dėl kurio tranzistorių tankis padidėjo maždaug 70 proc.

„IPhone“ buvo masiškai gaminamas naudojant TSMC 3 nm procesą, dėl kurio tranzistorių tankis padidėjo maždaug 70 proc.

„Samsung“ masinę 3 nm GAA proceso gamybą baigė liepos pradžioje, o pirmieji lustai bus pristatyti liepos 25 d. Nors „Samsung“ įveikė TSMC, gamindama masinę 3 nm technologiją, užsakymų ji negavo daug. Dideli klientai, tokie kaip Apple, AMD, Nvidia ir Qualcomm, stebi TSMC 3 nm procesą.

Remiantis Taivano žiniasklaidos pranešimais, TSMC 3 nm procesas jau pradėjo masinę gamybą, o masinė gamyba bus vykdoma vienu metu Hsinchu ir Nanke miesteliuose. TSMC šios žinios nepatvirtino. Kadangi TSMC nepavyko masiškai gaminti 3 nm proceso pirmąjį šių metų pusmetį, Apple A16 lustas turės naudoti 4 nm procesą. „Qualcomm Snapdragon 8 Gen 2“ taip pat šiuo metu yra išleistas. Kita priežastis, kodėl „Snapdragon 8 Gen 2“ nebus pasiekiamas esant TSMC 3 nm, yra ta, kad „Apple“ M2 Pro ir M2 MAX lustai užims didžiąją dalį gamybos pajėgumų.

TSMC 3 nm yra šiek tiek vėlesnis nei Samsung, tačiau techniškai jis yra brandesnis. Kaip buvo atskleista anksčiau, TSMC 3 nm mazgas turės mažiausiai penkias išvestinių procesų kartas, būtent N3, N3P, N3S, N3X ir N3E, o N3 bus pirmasis, kuris bus gaminamas masiškai.

Nors tai yra ankstyviausias masinės gamybos produktas, proceso lygio iteracijos pagerėjimas vis dar akivaizdus. Remiantis oficialiais duomenimis, energijos sąnaudas galima sumažinti 25-30%, našumą padidinti 10-15%, o tranzistoriaus tankį padidinti apie 70%.