Qualcomm Snapdragon 8 Gen 4 ar perdarytas, tikslinis dažnis 4,26 GHz?

 

Praėjusių metų spalį trečiosios kartos Snapdragon 8 pavyzdinė platforma buvo oficialiai pristatyta 2023 m. Snapdragon Summit renginyje. Vėliau buvo išleisti įvairūs prekių ženklai, aprūpinti trečiosios kartos flagmanais „Snapdragon 8“.

Remiantis esamais „Revelations“, naujos kartos „Qualcomm Snapdragon 8“ serijos pavyzdinė platforma taip pat bus pristatyta maždaug šių metų spalį, o laikui bėgant „Revelations“ apie šios kartos „Qualcomm Snapdragon“ pavyzdinę platformą pradėjo daugėti.

Remiantis šiandienos IT House pranešimu, „Qualcomm šiuo metu perkuria savo Snapdragon 8 Gen 4 procesorių su nauju tiksliniu 4,26 GHz dažniu, o tai visų pirma yra atsakas į Apple M4 / A18 / Pro procesorių“.

Tai reiškia, kad „Snapdragon 8 Gen 4“ bus pertvarkytas, o ankstesniuose „Apreiškimuose“ minimos naujienos bus pakeistos. Tikimasi, kad naujai atnaujintas Snapdragon 8 Gen 4 dažnis sieks 4,26 GHz.

Jei Apreiškimuose minimi duomenys yra tikslūs, tuomet tikimasi ir tikrojo Snapdragon 8 Gen 4 veikimo. Tačiau tuo pačiu metu gamintojai turi daugiau pasiruošti šilumos slopinimui.

Prieš tai tinklaraštininkas @Digital pokalbių stotis paminėjo nutekėjimą: "SM8750 ir DX4 pagrindinės specifikacijos nepasikeitė, sakiau prieš kelis mėnesius architektūra. SM8750-1.5 kartos savarankiškai sukurta visa branduolinė architektūra, TSMC N3 palaikymas , dabartinis mėginio našumas yra tikrai stiprus, tačiau dažnio nustatymas yra per didelis, todėl galios grįžtamasis ryšys yra bendras, nusileidimas turėtų ir sumažins dažnį..."

Anot to meto naujienų, naujojo Qualcomm Snapdragon 8 Gen 4 lusto pavyzdžio našumas yra labai stiprus, tačiau ateityje jis gali būti subalansuotas tarp dažnio ir energijos suvartojimo, o po faktinio nusileidimo dažnis gali būti sumažintas.

Trečiosios kartos Snapdragon 8 naudoja 1+5+2 architektūrą, pagrįstą 4 nm procesu, maksimalus itin didelio branduolio dažnis gali siekti 3,3 GHz, o Snapdragon X75 bazinė juosta ir Wifi 7. Našumas yra 30 proc. didesnis nei ankstesnės kartos, energijos vartojimo efektyvumas yra 20% didesnis, GPU našumas yra 25% didesnis, energijos vartojimo efektyvumas yra 25% didesnis. Pirmą kartą aparatinės įrangos spindulių sekimo sistemoje, remiantis pasaulinio apšvietimo palaikymu, Unreal 5 variklio palaikymu ir 240 FPS žaidimai.

Remiantis dabartiniais apreiškimais, tikrojo „Snapdragon 8 Gen 4“ dažnio ir specifikacijų našumo kol kas nustatyti negalima. Tačiau neabejotina, kad šios kartos pavyzdinė „Snapdragon“ platforma bus pagrįsta TSMC 3 nm procesu.

Pranešama, kad pirmieji mobiliųjų telefonų gaminiai su 3 nm lustais yra praėjusių metų rugsėjį pristatyti iPhone 15 Pro ir iPhone 15 Pro Max, kuriuose naudojamas pirmasis 3 nm lustas A17 Pro.

Remiantis turima informacija, ketvirtos kartos „Snapdragon 8“ lustas, kuris debiutuos kitą kartą, taip pat bus pagrįstas 3 nm procesu. Tai reiškia, kad ateityje bus daug Android modelių su 3nm lustais.

Be to, be ketvirtos kartos „Snapdragon 8“, kuris debiutuos šiais metais, taip pat yra naujienų, kad buvo atskleista daugiau naujos kartos produktų – penktosios kartos „Snapdragon 8“ lustas.

Naujienose buvo minima, kad „Qualcomm Snapdragon 8 Gen 4“ lustas naudos „Phoenix“ branduolį, o naujos kartos „Qualcomm Snapdragon 8 Gen 5“ turėtų naudoti „Pegasus“ branduolį, naudojant „2+6“ klasterio dizaino schemą ir „Slice“ GPU architektūra.

Tuo pačiu metu „Snapdragon 8 Gen 5“ naudos „Samsung“ 2 nm procesą, TSMC „N3E“ procesas išliks nepakitęs, o „Qualcomm“ pavedė „Samsung“ ir TSMC sukurti 2 nm taikomųjų programų lusto prototipą.

Tačiau iki „Snapdragon 8 Gen 5“ išleidimo dar liko gana daug laiko, o tikrosios produkto padėties šiuo metu patvirtinti negalima, susidomėję vartotojai gali tai stebėti.